知识产权政策Intellectual Property Policy


当心仿制技术泛滥

本司对【仿制技术】的注意事项

我们在日本、欧洲、美国、韩国、台湾、中国、墨西哥、东南亚等国家申请了主要电子元件生产国的多层陶瓷电容器等电子元件端部形成外部电极的方法和装置的专利。
在本专利申请中,通过组合 X、Y 和 X 轴的运动,平台和固定电子元件的治具相对于平台表面在前后和左右方向上以螺旋形移动。 Z 轴:定义一个抹料过程,从预先形成的浆料层中去除多余的浆料。这种抹料过程有两种类型。一种是将多余的浆料转印到载板表面(称为干法)。另一种是将多余的浆料转移到载板表面预先形成的浆料层上(称为湿法)。

这些施行干法或湿法印迹过程的方法和设备与我们专利申请的权利。如与描述的发明相冲突,因此请立即停止施行该过程。
我们将坚决反对模仿技术,将其淘汰。
为此,我们定期分析电子元件的横截面电极形状,并根据涂层形状广泛调查是否模仿本公司的技术生产。
一旦发现我们的独特技术获得专利权被侵犯,我们会采取法律措施。

我们期待您继续惠顾我们的产品。

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