知識產權政策Intellectual Property Policy


模倣技當心仿製技術泛濫

本司對【仿製技術】的注意事項

我們在日本、歐洲、美國、韓國、台灣、中國、墨西哥、東南亞等國家申請了主要電子元件生產國的多層陶瓷電容器等電子元件端部形成外部電極的方法和裝置的專利。
在本專利申請中,通過組合 X、Y 和 X 軸的運動,平台和固定電子元件的治具相對於平台表面在前後和左右方向上以螺旋形移動。 Z 軸:定義一個抹料過程,從預先形成的漿料層中去除多餘的漿料。這種抹料過程有兩種類型。一種是將多餘的漿料轉印到載板表面(稱為乾法)。另一種是將多餘的漿料轉移到載板表面預先形成的漿料層上(稱為濕法)。

這些施行干法或濕法印跡過程的方法和設備與我們專利申請的權利。如与描述的發明相衝突,因此請立即停止施行該過程。
我們將堅決反對模仿技術,將其淘汰。
為此,我們定期分析電子元件的橫截面電極形狀,並根據塗層形狀廣泛調查是否模仿本公司的技術生產。
一旦發現我們的獨特技術獲得專利權被侵犯,我們会採取法律措施。

我們期待您繼續惠顧我們的產品。

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